南亞科技與鎧俠共同研發垂直通道電晶體DRAM技術

2024 年 10月 21 日－南亞科技公司（股票代號: 2408）今宣布在應用於動態隨機存取記憶體(DRAM)之垂直通道電晶體技術上取得共同研究成果，該技術架構在記憶體微縮及降低電量消耗上提供顯著效益。南亞科技與鎧俠株式會社將於今年十二月舉辦的國際電子元件會議 (International Electron Devices Meeting; IEDM)上發表此一採用氧化物半導體製造垂直通道電晶體之DRAM製程技術，著重於降低電量耗用並達到極低漏電流。這項創新技術透過製造流程改善來強化晶片整合架構發展，展現南亞科技在DRAM領域持續精進，以滿足在高記憶體容量的相關應用上 (如人工智慧設備、後5G通信及物聯網)對節電與效能日益增加的需求。

更多詳細內容，請參閱: Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) with 4F2 Architecture (Paper Number: 6-1)