2003/02/21
南亞科技於今日(2/20/2003)發表DDR400 SDRAM雙倍速率記憶體同步動態隨機存取記憶體及PC3200雙倍速率記憶體模組(DDR DIMM)。
DDR400 256Mb SDRAM為南亞科技最新發展之DDR SDRAM 系列產品，DDR400 比現有DDR333 有更先進的設計，支援CAS 2.5ns延遲時間，百分之百符合Intel規格。 南亞科技 DDR400 顆粒乃以0.14微米製程所製造，為TSOPII包裝，有x4、x8、x16 I/O規格，適用於高倍速運算應用產品及消費性繪圖應用產品。南亞科技之16x16 DDR400 並已被主要繪圖工程廠商所選用，以支援其高速產品。
南亞科技並發表以DDR400記憶體顆粒所製造之PC3200 無緩衝雙線記憶體模組(unbuffered DIMM)提供128MB、256MB，及512MB 規格，將支援Intel新的雙通道(dual channel)平台，以增加整體系統表現。
南亞科技發言人高啟全執行副總表示：「南亞科技是全球DDR400的領導廠商，並且有能力現在量產DDR400，在同業中拔得頭籌，並且我們很高興南亞科技的DDR400已於今年初通過英特爾Intel公司評估，且符合JEDEC 標準規格」。
有關南亞科技公司
南亞科技成立於1995年3 月，主要業務為自有品牌DRAM半導體產品之設計、製造與銷售，其DRAM產品主要應用於個人電腦產品、工作站伺服器等，並正研發特殊利基型產品如繪圖、低功率等記憶體。南亞科技在美國、日本、德國、中國設有分公司或辦事處。南亞科技2002年營業額為美金八億六千萬美金，為全球記憶體供應商第五名。請造訪南亞科技網站http://www.nanya.com