公司沿革
2018

4月获颁汤森路透公司「全球科技百强」奖座

5月荣获第4届公司治理评监排名前5%

7月取得福懋科技股份有限公司之19%股权

9月入选2018年「道琼永续新兴市场指数」

10月8Gb DDR4伺服器产品获伺服器(资料中心)客户验证通过

11月取得ISO 50001认证
荣获107台湾企业永续奖多项殊荣

2017

3月20奈米试产

4月获颁TCL合格供应商奖

8月新总部落成典礼

10月获颁华为最佳供应商暨绿色夥伴
获颁2017年度新北市环境影响评估优良开发评选黄金级殊荣

11月通过台湾绿建筑EEWH标准银级标准
荣获2017台湾企业永续奖多项殊荣

12月8Gb DDR4产品量产

2016

10月20nm机台设备move-in

12月完成华亚科技股份转换交易

2015

7月三厂北栋厂房举行动土典礼

8月30奈米Stack设计微缩产品占总产出五成

12月LPDDR3 4Gb产品量产
本公司获颁Gigabyte最佳合作夥伴暨永续经营厂商

2014

7月出售胜普电子股份有限公司8寸晶圆厂房及设备

10月30奈米 Stack设计微缩产品开始生产
DDR4产品取得全球先进大厂验证

2013

1月南亚科与8寸晶圆厂资产及营业并积极拓展多元晶圆代工事业

2012

4月胜普电子成立,承接原南亚科8寸晶圆厂资产及营业并积极拓展多元晶圆代工事业

2011

7月成功试产30奈米制程技术

2010

7月7月5日成功试产42奈米制程技术

10月42奈米制程技术於第4季开始量产

2009

8月导入68奈米堆叠式制程技术生产1Gb DDR3产品

9月导入50奈米堆叠式制程技术生产1Gb DDR3产品

2008

4月与美光科技签署共同研发技术合约

11月南亚科3A厂70奈米制程达到第一期全产能3万4千片

12月南科三厂通过英国劳氏(Lloyd’s)ISO14001环境管理系统认证及OHSAS 18001安全卫生管理系统认证

2007

3月三A厂无尘室兴建

5月三A厂机台设备Move-in

10月90奈米制程量产

2006

3月第一座十二寸厂,晶圆三厂动土兴建

9月70/75奈米(与奇梦达共同研发)技术成功通过认证

10月南亚科(上海)科技贸易限公司成立

2005

4月高阶伺服器用DDR2记忆体模组通过国际大厂认证,进军伺服器用记忆体市场

6月90奈米技术研发成功并通过认证

9月与英飞凌签订60奈米共同研发技术合约

2004

5月南亚科技通过DDR2产品Intel AVL认证

10月华亚科技月产能达到24,000片,以0.11mn制程技术为主

12月90奈米DDR2开始投片试产

2003

1月成立德国分公司

1月成立昆山办事处

12月华亚科技正式装机典礼

2002

4月成立南亚科技(香港)股份有限公司

9月成立日本东京分公司

11月与德国英飞凌公司签订0.09 / 0.07 微米共同研发技术合约,并合资设立12寸晶圆厂「华亚科技」

12月二厂获ISO-14001认证

12月一厂&二厂获OHSAS 18001认证

2001

1月通过IBM Tier 1品质系统验证

5月与SST公司签订0.25/0.18微米(μm)代工及高阶快闪记忆体共同研发合约

6月全面量产0.175微米(μm) 128Mb/256Mb DRAM

2000

2月晶圆二厂开始投片试产

8月128Mb SDARM及DDR DRAM试产成功

8月8/17南亚科技正式在台湾挂牌上市

10月与IBM公司签订0.14/0.11微米(μm)共同研发合约

12月二厂获得劳氏ISO-9001品质认证

1999

10月0.20微米(μm) 64Mb SDRAM 开始量产

1998

4月晶圆二厂动土兴建

11月与IBM公司签订0.2~0.175微米(μm) 64~256Mb DRAM技术移转合约公司单月营业额突破新台币10亿元

12月获得劳氏ISO-14001环境系统管理认证成立美国德州休士顿产品设计中心

1997

6月获得劳氏ISO-9002品质认证

7月南亚科技美国分公司NTC-USA成立

8月64Mb DRAM投片试产

1996

7月16Mb DRAM试产成功

10月正式销售开始

11月与日本冲电气株式会社(OKI)签订0.36 ~ 0.32微米(μm) 64Mb DRAM技术授权合约投资於美国矽谷成立产品设计公司GSI

1995

1月晶圆一厂动土兴建

3月南亚科技正式成立於1995年3月4日

4月与日本冲电气株式会社(OKI)、南亚塑胶股份有限公司签订三方面备忘录,承接原南亚塑胶与OKI 16Mb DRAM技术案之所有权利义务

1994

5月南亚塑胶股份有限公司与日本冲电气株式会社(OKI)签订16Mb DRAM技术移转合约