2022/6/23

南亚科技公司先进晶圆新厂动土典礼 深耕台湾DRAM技术自主 永续发展

2022年6月23日 – 南亚科技今日於新北市泰山南林科技园区举行新厂 动土典礼，因应未来市场需求及扩大台湾DRAM产业的发展，南亚科技规划 投资新台币3,000亿元兴建一座双层无尘室新厂。动土典礼由台塑企业总裁王文渊及南亚科技董事长吴嘉昭主持，蔡英文总统、新北市侯友宜市长、行政院沈荣津副院长、监察院李鸿钧副院长、经济部王美花部长等中央及地方首长、民意代表及半导体业界人士等约320人应邀出席。

新厂基地包含「主厂房」、「研发大楼」及「水资源再生中心」，同时也将兴建EUV极紫外光微影设备独立厂房，以因应未来先进制程导入之需求。采用南亚科技自主研发的10奈米级（1A, 1B, 1C, 1D）制程技术生产DRAM晶片，并将运用「AI智慧制造」技术，全面提升制程效率。新厂规划分三阶段进行扩建，完成後月产能可达到4.5万片晶圆，预计2025年开始装机投片量产，全公司晶粒位元产出成长将达120%，每年预估可创造超过700亿元产值，并提供约3,000个优质工作机会，间接创造产业链数千个就业机会。

台塑企业王文渊总裁表示：「DRAM是关键的零组件，即使历经2007年至2012年DRAM市场剧烈???动和2008年全球金融海啸等难关，台塑企业仍全力支持南亚科技挺过逆境，替台湾保留电子产业关键零组件的技术。而且DRAM技术更迭快速，若无研发自主，技术及扩产将无法自我掌控，为能完全摆脱营运枷锁，南亚科技经过不断的创新与研发，已成功开发出新世代10奈米级记忆体技术，代表台湾正式掌握DRAM半导体世界一流的先进技术能力。」

南亚科技吴嘉昭董事长表示：「为了掌握DRAM关键技术，南亚科技五年来研发经费增加3倍，研发人力也扩充至千人规模，全球累计专利数超过 5,000件。10奈米级第一代1A技术及产品预计於今年下半年量产，第二代1B技术及产品已进入试产，并已展开第三代1C技术以及应用於1D的EUV 技术研发工作。我们特别要感谢中央各部会及新北市政府等相关单位积极协助南亚科技各项环境影响评估及建照。南亚科技未来将持续创新研发，培育台湾 关键技术人才，以迈向企业永续为目标。」

南亚科技李培瑛总经理表示：「南亚科技近年来在ESG各个面向的努力，获得国内外评选机构的高度肯定，入选「DJSI 道琼永续世界指数及新兴市场 指数」、「国际碳揭露CDP气候变迁最高评级及水安全领导评级」、「国家永续 发展奖」、「国家企业环保奖」及「绿色工厂标章」等多项永续殊荣。在研发方面，积极开发低碳产品包括下世代记忆体DDR5、LPDDR5，可以为客户节省16%到35%的功耗。在生产方面，落实绿色生产，温室气体排放量5年来降低30%，节能措施近5年累计节电达5,830万度，制程水回收率达到90.8 %，布局再生能源未来10年总量2.5亿度太阳能。未来新厂，将以绿建筑标准及智慧 建筑规划，带动DRAM产业链迈向绿色生产。」